利用反射光譜和光致發(fā)光譜，對采用氫化物氣相外延法（HVPE）和分子束外延法（MBE）生長(cháng)GaN樣品的光學(xué)性質(zhì)進(jìn)行了研究。由反射光譜得出樣品的膜厚和禁帶寬，同時(shí)也說(shuō)明了HVPE法生長(cháng)GaN的速率快于MBE法。而通過(guò)不同積分時(shí)間下的光致發(fā)光譜的分析，可以看出MBE制備樣品中沒(méi)有明顯的黃帶發(fā)光現象，而且帶邊發(fā)光峰光強比HVPE樣品強，初步結論是MBE比HVPE制備樣品質(zhì)量好。