近年來(lái),由于氟化鈣(CaF2)晶體在深紫外準分子激光(Deep Ultraviolet)光刻方面具有潛在的應用前景而倍受人們的關(guān)注。這主要是由于作為光刻機關(guān)鍵光學(xué)元件的石英玻璃在波長(cháng)小于200nm時(shí)透過(guò)率急劇下降,且在紫外光輻照下會(huì )形成色心及折射率發(fā)生變化,從而降低光效及破壞產(chǎn)品。

（圖源網(wǎng)絡(luò )，侵刪）

氟化鈣晶體是一種重要的光學(xué)材料，具有立方對稱(chēng)性晶格，熱機性能良好。物化性能穩定，不潮解，抗輻照損傷能力強，透光范圍寬，在130nm 到10μm 的波長(cháng)范圍內透光性能良好，應力雙折射低(在200nm 以上無(wú)明顯本征雙折射)，及折射率均勻高。在自然界氟化鈣以螢石礦形式存在，因此，氟化鈣早已引起人們的關(guān)注，甚至在第一次世界大戰前后，就被用于制造顯微鏡和照相機鏡頭。隨著(zhù)真空坩堝下降法(Bridgman-Stockbarger)的采用，加之生長(cháng)和加工技術(shù)的成熟和完善，大尺寸氟化鈣晶體成為可批量生產(chǎn)的產(chǎn)品。其應用范圍變得更加廣泛，如光譜分光系統、高級攝象機、望遠鏡及其他光學(xué)儀器中的棱鏡、透鏡和窗口等;摻雜的氟化鈣還可以用做γ射線(xiàn)閃爍體，應用于高能物理、核物理研究。

國際上，以肖特(SCHOTT)、康寧(CORNING)和貝克朗(BICRON)為代表的德國和美國公司在氟化鈣晶體研制和產(chǎn)業(yè)化水平上處于領(lǐng)先地位，肖特公司已經(jīng)成功地生長(cháng)出直徑達到350mm 的氟化鈣單晶[1]。在國內，從事氟化鈣研發(fā)、生產(chǎn)的單位主要有北京玻璃研究院、北京人工晶體研究所、中科院長(cháng)春精密光學(xué)機械研究所和上海硅酸鹽研究所等單位。所生長(cháng)的氟化鈣晶體直徑可以達到200mm，但是晶體光學(xué)質(zhì)量和單晶獲得率還有待進(jìn)一步提高。

針對紫外光學(xué)系統，特別是大功率準分子激光系統的特殊需求，研制大截面、高質(zhì)量氟化鈣單晶材料已成為當務(wù)之急。在研究過(guò)程中發(fā)現大尺寸氟化鈣單晶地生長(cháng)需要重點(diǎn)解決生長(cháng)爐及溫場(chǎng)設計、原料提純和生長(cháng)工藝優(yōu)化三大關(guān)鍵難題。

在大尺寸氟化鈣單晶的生長(cháng)研究中晶體生長(cháng)參數的選擇尤其重要，晶體生長(cháng)參數是指那些可以直接調控的設置，例如加熱器功率、坩堝下降速率或降溫速率、坩堝幾何形狀、晶體/坩堝轉動(dòng)速率、氣流、磁場(chǎng)等。這些參數的組合即形成晶體生長(cháng)的外部環(huán)境。如何形成所期待的晶體生長(cháng)環(huán)境是生長(cháng)過(guò)程模型需要解決的問(wèn)題。通過(guò)引進(jìn)的計算機模擬軟件CrysVUN 對大尺寸氟化鈣晶體的生長(cháng)環(huán)境進(jìn)行了數字模擬?？梢詼蚀_地、定量地預測一定的晶體生長(cháng)參數下，晶體生長(cháng)過(guò)程的熱量甚至是物質(zhì)的連續輸運方程，建立合適大尺寸氟化鈣晶體生長(cháng)的溫場(chǎng)環(huán)境。

通過(guò)原料提純和預處理工藝，提高了氟化鈣原料純度。并采用改進(jìn)的布里奇曼生長(cháng)技術(shù)，利用真空石墨坩堝下降爐作為主要生長(cháng)設備，通過(guò)優(yōu)化生長(cháng)工藝成功地實(shí)現了直徑達到300mm 氟化鈣單晶的生長(cháng)。所生長(cháng)的氟化鈣單晶的透光范圍為0.13~10μm，且在248nm光學(xué)透過(guò)率不高于88%(2mm 厚晶體);應力雙折射低于10nm/cm;光學(xué)均勻性達到6×10-6以上。

近年來(lái),由于氟化鈣(CaF2)晶體在深紫外準分子激光(Deep Ultraviolet)光刻方面具有潛在的應用前景而倍受人們的關(guān)注。這主要是由于作為光刻機關(guān)鍵光學(xué)元件的石英玻璃在波長(cháng)小于200nm時(shí)透過(guò)率急劇下降,且在紫外光輻照下會(huì )形成色心及折射率發(fā)生變化,從而降低光效及破壞產(chǎn)品。

氟化鈣晶體是一種重要的光學(xué)材料，具有立方對稱(chēng)性晶格，熱機性能良好。物化性能穩定，不潮解，抗輻照損傷能力強，透光范圍寬，在130nm 到10μm 的波長(cháng)范圍內透光性能良好，應力雙折射低(在200nm 以上無(wú)明顯本征雙折射)，及折射率均勻高。在自然界氟化鈣以螢石礦形式存在，因此，氟化鈣早已引起人們的關(guān)注，甚至在第一次世界大戰前后，就被用于制造顯微鏡和照相機鏡頭。隨著(zhù)真空坩堝下降法(Bridgman-Stockbarger)的采用，加之生長(cháng)和加工技術(shù)的成熟和完善，大尺寸氟化鈣晶體成為可批量生產(chǎn)的產(chǎn)品。其應用范圍變得更加廣泛，如光譜分光系統、高級攝象機、望遠鏡及其他光學(xué)儀器中的棱鏡、透鏡和窗口等;摻雜的氟化鈣還可以用做γ射線(xiàn)閃爍體，應用于高能物理、核物理研究。

國際上，以肖特(SCHOTT)、康寧(CORNING)和貝克朗(BICRON)為代表的德國和美國公司在氟化鈣晶體研制和產(chǎn)業(yè)化水平上處于領(lǐng)先地位，肖特公司已經(jīng)成功地生長(cháng)出直徑達到350mm 的氟化鈣單晶[1]。在國內，從事氟化鈣研發(fā)、生產(chǎn)的單位主要有北京玻璃研究院、北京人工晶體研究所、中科院長(cháng)春精密光學(xué)機械研究所和上海硅酸鹽研究所等單位。所生長(cháng)的氟化鈣晶體直徑可以達到200mm，但是晶體光學(xué)質(zhì)量和單晶獲得率還有待進(jìn)一步提高。

針對紫外光學(xué)系統，特別是大功率準分子激光系統的特殊需求，研制大截面、高質(zhì)量氟化鈣單晶材料已成為當務(wù)之急。在研究過(guò)程中發(fā)現大尺寸氟化鈣單晶地生長(cháng)需要重點(diǎn)解決生長(cháng)爐及溫場(chǎng)設計、原料提純和生長(cháng)工藝優(yōu)化三大關(guān)鍵難題。

在大尺寸氟化鈣單晶的生長(cháng)研究中晶體生長(cháng)參數的選擇尤其重要，晶體生長(cháng)參數是指那些可以直接調控的設置，例如加熱器功率、坩堝下降速率或降溫速率、坩堝幾何形狀、晶體/坩堝轉動(dòng)速率、氣流、磁場(chǎng)等。這些參數的組合即形成晶體生長(cháng)的外部環(huán)境。如何形成所期待的晶體生長(cháng)環(huán)境是生長(cháng)過(guò)程模型需要解決的問(wèn)題。通過(guò)引進(jìn)的計算機模擬軟件CrysVUN 對大尺寸氟化鈣晶體的生長(cháng)環(huán)境進(jìn)行了數字模擬?？梢詼蚀_地、定量地預測一定的晶體生長(cháng)參數下，晶體生長(cháng)過(guò)程的熱量甚至是物質(zhì)的連續輸運方程，建立合適大尺寸氟化鈣晶體生長(cháng)的溫場(chǎng)環(huán)境。

通過(guò)原料提純和預處理工藝，提高了氟化鈣原料純度。并采用改進(jìn)的布里奇曼生長(cháng)技術(shù)，利用真空石墨坩堝下降爐作為主要生長(cháng)設備，通過(guò)優(yōu)化生長(cháng)工藝成功地實(shí)現了直徑達到300mm 氟化鈣單晶的生長(cháng)。所生長(cháng)的氟化鈣單晶的透光范圍為0.13~10μm，且在248nm光學(xué)透過(guò)率不高于88%(2mm 厚晶體);應力雙折射低于10nm/cm;光學(xué)均勻性達到6×10-6以上。